一、基本情况

曾荣周，男，博士，讲师，硕士生导师。1978年生于湖南新化。

Email：rongzhou_zeng@126.com

二、受教育经历

2013年9月-2018年12月，电子科技大学，微电子学与固体电子学，博士研究生

2004年9月-2007年6月，昆明理工大学，物理电子学，硕士研究生

1998年9月-2001年6月，湖南人文科技学院，物理学，大专

三、研究工作经历

2018/12-至今，湖南工业大学，交通与电气工程学院，讲师

四、主要研究方向与工作业绩

主要研究方向有功率半导体器件设计与可靠性、纳米电子器件。

目前承担的主要科研项目：

1、湖南省自然科学基金项目，批准号：2026JJ80072，执行年限：2026/1-2028/12，在研，主持；

2、湖南省教育厅科学研究项目（重点），批准号：25A0425，执行年限：2026/1-2028/12，在研，主持；

3、湖南省教育厅科学研究项目（一般），批准号：20C0603，执行年限：2020/9-2022/9，已结题，主持；

五、主要论著及专利

（1）论文

[1] WU Z, ZENG R, LEI S, et al. Switching Controllability for SiC JFET/Si IGBT Cascode With External Absorption and Boost Capacitors [J]. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2025, 13(4): 4965-75.

[2] ZENG R, WU Z, LEI S, et al. A Float P-Drift and Blocking Junction LIGBT With Low Turn-Off Loss and No-Snapback [J]. IEEE Access, 2024, 12(123071-7.

[3] 曾荣周,雷盛长,吴振珲,et al.具有自偏置 MOS 空穴抽取通路和阻塞结的 IGBT[J].Electronic Components & Materials, 2025, 44(3).

[4] 阳治雄，曾荣周,吴振珲,等.Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性[J].半导体技术, 2023, 48(12):1071-1076.

[5] LI P, ZENG R Z, LIAO Y B, et al. A Novel Graphene Metal Semi-Insulator Semiconductor Transistor and Its New Super-Low Power Mechanism [J]. Scientific Reports, 2019, 9(1): 3642.

[6] ZHANG T, BAO J-F, ZENG R-Z, et al. Long lifecycle MEMS double-clamped beam based on low stress graphene compound film [J]. Sensors and Actuators A: Physical, 2019, 288(39-46.

[7] Li, J., Xiao, K., Hu, B., Liu, K. and Zeng, R.. The Investigation of an IGBT With Hole-Carrier Movement Control [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(9): 3839-47.

[8] ZENG R, LI P, LI J, et al. A novel approach to fabricate self-aligned graphene transistor [J]. Electron Lett, 2017, 53(23): 1536-7.

[9] ZENG R, LI P, LI J, et al.. Self-aligned graphene transistor [J]. Electron Lett, 2017, 53(24): 1592-4.

[10] ZENG R, LI P, WANG Y, et al. An embedded gate graphene field effect transistor with natural Al oxidization dielectrics and its application to frequency doubler [J]. IEICE Electronics Express, 2017, 14(20)

[11] 曾荣周, 李平, 廖永波, et al. 源漏不对称的石墨烯场效应管特性研究 [J]. 微电子学与计算机, 2018, 35(02): 118-21.

（2）专利

[1] 曾荣周，雷盛长，吴振晖，廖淋圆，伍计鹏等. 一种加速绝缘栅双极晶体管关断和降低关断损耗的电路, 发明, CN202411423809.5.(实审)

[2] 曾荣周，吴振珲，阳治雄，赵书，廖淋圆. 一种可实现辅助耗尽和零回跳的阻塞结双沟槽IGBT, 发明, CN202310936226.1.(实审)

[3] 曾荣周, 周细凤. 金属堆叠源漏电极场效应管及其制作方法，2022/03/11，发明，ZL 201811438044.7。

六、讲授课程

本科生课程：《微电子器件基础》、《集成电路原理与设计》、《VLSI系统结构设计》等。