一、基本情况
曾荣周，男，博士，讲师，硕士生导师。1978年生于湖南新化。
邮箱：rongzhou_zeng@126.com
二、受教育经历
2013年9月-2018年12月，电子科技大学，微电子学与固体电子学，博士研究生
2004年9月-2007年6月，昆明理工大学，物理电子学，硕士研究生
1998年9月-2001年6月，湖南人文科技学院，物理学，大专
三、研究工作经历
2018/12-至今，湖南工业大学，轨道交通学院，讲师
四、主要研究方向与工作业绩
主要研究方向有功率半导体器件设计与可靠性、纳米电子器件。
五、主要论著及专利
（1）论文
[1] WU Z, ZENG R, LEI S, et al. Switching Controllability for SiC JFET/Si IGBT Cascode With External Absorption and Boost Capacitors [J]. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2025, 13(4): 4965-75.
[2] ZENG R, WU Z, LEI S, et al. A Float P-Drift and Blocking Junction LIGBT With Low Turn-Off Loss and No-Snapback [J]. IEEE Access, 2024, 12(123071-7.
[3] 曾荣周,雷盛长,吴振珲,et al.具有自偏置 MOS 空穴抽取通路和阻塞结的 IGBT[J].Electronic Components & Materials, 2025, 44(3).
[4] 阳治雄，曾荣周,吴振珲,等.Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性[J].半导体技术, 2023, 48(12):1071-1076.
[5] LI P, ZENG R Z, LIAO Y B, et al. A Novel Graphene Metal Semi-Insulator Semiconductor Transistor and Its New Super-Low Power Mechanism [J]. Scientific Reports, 2019, 9(1): 3642.
[6] ZHANG T, BAO J-F, ZENG R-Z, et al. Long lifecycle MEMS double-clamped beam based on low stress graphene compound film [J]. Sensors and Actuators A: Physical, 2019, 288(39-46.
[7] Li, J., Xiao, K., Hu, B., Liu, K. and Zeng, R.. The Investigation of an IGBT With Hole-Carrier Movement Control [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(9): 3839-47.
[8] ZENG R, LI P, LI J, et al. A novel approach to fabricate self-aligned graphene transistor [J]. Electron Lett, 2017, 53(23): 1536-7.
[9] ZENG R, LI P, LI J, et al.. Self-aligned graphene transistor [J]. Electron Lett, 2017, 53(24): 1592-4.
[10] ZENG R, LI P, WANG Y, et al. An embedded gate graphene field effect transistor with natural Al oxidization dielectrics and its application to frequency doubler [J]. IEICE Electronics Express, 2017, 14(20)
[11] 曾荣周, 李平, 廖永波, et al. 源漏不对称的石墨烯场效应管特性研究 [J]. 微电子学与计算机, 2018, 35(02): 118-21.
（2）专利
[1] 曾荣周, 周细凤. 金属堆叠源漏电极场效应管及其制作方法，2022/03/11，发明，ZL 201811438044.7。
六、讲授课程
本科生课程：《微电子器件基础》、《集成电路原理与设计》、《VLSI系统结构设计》等。
