一、基本情况

廖淋圆（1989-），男，湖南邵阳人，博士、研究生导师。

二、受教育经历

2011/09－2020/7，湖南大学，电气工程，博士

2007/09－2011/07，湖南涉外经济学院，电子信息工程，本科

三、研究工作经历

2020/09-至今，湖南工业大学，轨道交通学院，讲师

四、主要研究方向与工作业绩

主要从事功率半导体器件及应用技术研究与开发工作。参加国家自然科学基金2项、国家重点研发计划课题任务1项.，主持湖南省研究生教改项目1项。

[1]国家自然科学基金面上项目，碳化硅双极结型晶体管的研究，78万元， 2016/01-2019/12，结题，参加.

[2]国家自然科学基金面上项目，整晶圆特大容量IGBT器件研究，90万元， 2013/01-2016/12，结题，参加.

[3]国家“863 计划” 项目，新型超大功率场控电力电子器件的研究及其应用,4000万元，2014/01 - 2017/12，结题，参加.

[4]国际合作专项，超大功率电力电子器件及系统关键技术研究，900万元，2013/04-2016/04，结题，参加.

[5]国家“863 计划”项目，新型中高压大功率矩阵变换器的研究，200万元，2012/02-2017/06，结题，参加.

五、部分论文

[1] L. Liao, J. Wang, S. Tang, Z. Shuai, X. Yin and Z. J. Shen. A New Proportional Base Drive Technique for SiC Bipolar Junction Transistor. IEEE Transactions on Power Electronics, 2017.

[2] Linyuan Liao, Zhenhui Wu et al. "A Si-SiC Darlington Transistor Pair With Low Consumption," IEEE Transactions on Power Electronics [J], 2024.

[3] 吴振珲，廖淋圆等. 具有自适应浮空分裂栅IGBT的特性研究 [J]. 电子元件与材料, 2024, 43(4): 447-453.

[4] 廖淋圆, 唐赛, 王俊, 帅智康, 尹新, 沈征, 蒋梦轩. 一种碳化硅双极结型晶体管的驱动装置及方法. 中国. 发明专利, ZL201510244410.5. (2017-11-27)

六、讲授课程

本科生课程：《功率半导体器件原理与设计》《功率器件/集成电路生产实习》

研究生课程：《微电子器件及其应用》